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BQ2002D|BQ2002T

BQ2002D|BQ2002T

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    NiCD/NiMH Fast-Charge Management ICs datasheet (Rev. D)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BQ2002D|BQ2002T 数据手册
BQ2002D|BQ2002T
### 物料型号 - BQ2002T:德州仪器(Texas Instruments)生产的NiCd/NiMH快速充电管理IC。

### 器件简介 - bq2002D/T:低成本CMOS电池充电控制器,能够为镍镉(NiCd)和镍金属氢化物(NiMH)电池应用提供可靠的充电终止。集成了快速充电、可选的顶部充电和脉冲微量充电控制于单一IC中,用于充电一个或多个NiCd或NiMH电池单元。

### 引脚分配 - TM:计时器模式选择输入 - TS:温度感应输入 - LED:充电状态输出 - Vcc:供电电压输入 - BAT:电池电压输入 - INH:充电抑制输入 - Vss:系统地 - CC:充电控制输出

### 参数特性 - 快速充电终止:通过温度上升速率、最大电压、最高温度和最长时间来终止快速充电。 - 直接LED输出:显示充电状态。 - 内部带隙电压参考:提供稳定的参考电压。 - 可选顶部充电(仅限bq2002T)。 - 可选择的脉冲微量充电速率(仅限bq2002T)。 - 低功耗模式。

### 功能详解 - 电池电压和温度测量:监测电池电压和温度,确保不超过最大允许值。 - 充电周期启动:通过应用VCC或BAT引脚电压下降启动充电周期。 - 快速充电终止条件:包括温度上升速率、最大电压、最高温度和最长时间。 - 顶部充电(仅限bq2002T):在快速充电终止后,以降低的速率继续充电。 - 脉冲微量充电(仅限bq2002T):用于补偿电池在充电器中闲置时的自放电。

### 应用信息 - bq2002D/T:适用于需要快速充电管理的NiCd和NiMH电池应用,如便携式设备、无线通信设备等。

### 封装信息 - 8引脚300mil DIP或150mil SOIC:提供两种封装选项,分别为DIP和SOIC封装。
BQ2002D|BQ2002T 价格&库存

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